IRF7811ATRPBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7811ATRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
28V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1760pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36815 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7811ATRPBF
IRF7811ATRPBF Elektroniska komponenter
IRF7811ATRPBF Försäljning
IRF7811ATRPBF Leverantör
IRF7811ATRPBF Distributör
IRF7811ATRPBF Datatabell
IRF7811ATRPBF Foton
IRF7811ATRPBF Pris
IRF7811ATRPBF Erbjudande
IRF7811ATRPBF Lägsta pris
IRF7811ATRPBF Sök
IRF7811ATRPBF Köp av
IRF7811ATRPBF Chip