IRF7811WTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF7811WTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2335pF @ 16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16925 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF7811WTRPBF
IRF7811WTRPBF Elektroniska komponenter
IRF7811WTRPBF Försäljning
IRF7811WTRPBF Leverantör
IRF7811WTRPBF Distributör
IRF7811WTRPBF Datatabell
IRF7811WTRPBF Foton
IRF7811WTRPBF Pris
IRF7811WTRPBF Erbjudande
IRF7811WTRPBF Lägsta pris
IRF7811WTRPBF Sök
IRF7811WTRPBF Köp av
IRF7811WTRPBF Chip