IRF8113TRPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF8113TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19476 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8113TRPBF
IRF8113TRPBF Elektroniska komponenter
IRF8113TRPBF Försäljning
IRF8113TRPBF Leverantör
IRF8113TRPBF Distributör
IRF8113TRPBF Datatabell
IRF8113TRPBF Foton
IRF8113TRPBF Pris
IRF8113TRPBF Erbjudande
IRF8113TRPBF Lägsta pris
IRF8113TRPBF Sök
IRF8113TRPBF Köp av
IRF8113TRPBF Chip