IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A MX
Artikelnummer
IRF8302MTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
DirectFET™ Isometric MX
Leverantörsenhetspaket
DIRECTFET™ MX
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51887 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF8302MTRPBF
IRF8302MTRPBF Elektroniska komponenter
IRF8302MTRPBF Försäljning
IRF8302MTRPBF Leverantör
IRF8302MTRPBF Distributör
IRF8302MTRPBF Datatabell
IRF8302MTRPBF Foton
IRF8302MTRPBF Pris
IRF8302MTRPBF Erbjudande
IRF8302MTRPBF Lägsta pris
IRF8302MTRPBF Sök
IRF8302MTRPBF Köp av
IRF8302MTRPBF Chip