IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Artikelnummer
IRF9333TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28762 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9333TRPBF
IRF9333TRPBF Elektroniska komponenter
IRF9333TRPBF Försäljning
IRF9333TRPBF Leverantör
IRF9333TRPBF Distributör
IRF9333TRPBF Datatabell
IRF9333TRPBF Foton
IRF9333TRPBF Pris
IRF9333TRPBF Erbjudande
IRF9333TRPBF Lägsta pris
IRF9333TRPBF Sök
IRF9333TRPBF Köp av
IRF9333TRPBF Chip