IRF9520NLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
Artikelnummer
IRF9520NLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31192 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9520NLPBF
IRF9520NLPBF Elektroniska komponenter
IRF9520NLPBF Försäljning
IRF9520NLPBF Leverantör
IRF9520NLPBF Distributör
IRF9520NLPBF Datatabell
IRF9520NLPBF Foton
IRF9520NLPBF Pris
IRF9520NLPBF Erbjudande
IRF9520NLPBF Lägsta pris
IRF9520NLPBF Sök
IRF9520NLPBF Köp av
IRF9520NLPBF Chip