IRF9530NSTRR
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Artikelnummer
IRF9530NSTRR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15840 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9530NSTRR
IRF9530NSTRR Elektroniska komponenter
IRF9530NSTRR Försäljning
IRF9530NSTRR Leverantör
IRF9530NSTRR Distributör
IRF9530NSTRR Datatabell
IRF9530NSTRR Foton
IRF9530NSTRR Pris
IRF9530NSTRR Erbjudande
IRF9530NSTRR Lägsta pris
IRF9530NSTRR Sök
IRF9530NSTRR Köp av
IRF9530NSTRR Chip