IRF9Z34NPBF
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
Artikelnummer
IRF9Z34NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15832 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF9Z34NPBF
IRF9Z34NPBF Elektroniska komponenter
IRF9Z34NPBF Försäljning
IRF9Z34NPBF Leverantör
IRF9Z34NPBF Distributör
IRF9Z34NPBF Datatabell
IRF9Z34NPBF Foton
IRF9Z34NPBF Pris
IRF9Z34NPBF Erbjudande
IRF9Z34NPBF Lägsta pris
IRF9Z34NPBF Sök
IRF9Z34NPBF Köp av
IRF9Z34NPBF Chip