IRFB260NPBF
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB260NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
380W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30131 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB260NPBF
IRFB260NPBF Elektroniska komponenter
IRFB260NPBF Försäljning
IRFB260NPBF Leverantör
IRFB260NPBF Distributör
IRFB260NPBF Datatabell
IRFB260NPBF Foton
IRFB260NPBF Pris
IRFB260NPBF Erbjudande
IRFB260NPBF Lägsta pris
IRFB260NPBF Sök
IRFB260NPBF Köp av
IRFB260NPBF Chip