IRFB3006GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Artikelnummer
IRFB3006GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
375W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8970pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46124 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB3006GPBF
IRFB3006GPBF Elektroniska komponenter
IRFB3006GPBF Försäljning
IRFB3006GPBF Leverantör
IRFB3006GPBF Distributör
IRFB3006GPBF Datatabell
IRFB3006GPBF Foton
IRFB3006GPBF Pris
IRFB3006GPBF Erbjudande
IRFB3006GPBF Lägsta pris
IRFB3006GPBF Sök
IRFB3006GPBF Köp av
IRFB3006GPBF Chip