IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
Artikelnummer
IRFB38N20DPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32053 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB38N20DPBF
IRFB38N20DPBF Elektroniska komponenter
IRFB38N20DPBF Försäljning
IRFB38N20DPBF Leverantör
IRFB38N20DPBF Distributör
IRFB38N20DPBF Datatabell
IRFB38N20DPBF Foton
IRFB38N20DPBF Pris
IRFB38N20DPBF Erbjudande
IRFB38N20DPBF Lägsta pris
IRFB38N20DPBF Sök
IRFB38N20DPBF Köp av
IRFB38N20DPBF Chip