IRFB4137PBF
MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK
Artikelnummer
IRFB4137PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220
Effektförlust (max)
341W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
69 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5168pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52367 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFB4137PBF
IRFB4137PBF Elektroniska komponenter
IRFB4137PBF Försäljning
IRFB4137PBF Leverantör
IRFB4137PBF Distributör
IRFB4137PBF Datatabell
IRFB4137PBF Foton
IRFB4137PBF Pris
IRFB4137PBF Erbjudande
IRFB4137PBF Lägsta pris
IRFB4137PBF Sök
IRFB4137PBF Köp av
IRFB4137PBF Chip