IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Artikelnummer
IRFH5010TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
98nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4340pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19136 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5010TRPBF
IRFH5010TRPBF Elektroniska komponenter
IRFH5010TRPBF Försäljning
IRFH5010TRPBF Leverantör
IRFH5010TRPBF Distributör
IRFH5010TRPBF Datatabell
IRFH5010TRPBF Foton
IRFH5010TRPBF Pris
IRFH5010TRPBF Erbjudande
IRFH5010TRPBF Lägsta pris
IRFH5010TRPBF Sök
IRFH5010TRPBF Köp av
IRFH5010TRPBF Chip