IRFH5210TRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN
Artikelnummer
IRFH5210TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14.9 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2570pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22379 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH5210TRPBF
IRFH5210TRPBF Elektroniska komponenter
IRFH5210TRPBF Försäljning
IRFH5210TRPBF Leverantör
IRFH5210TRPBF Distributör
IRFH5210TRPBF Datatabell
IRFH5210TRPBF Foton
IRFH5210TRPBF Pris
IRFH5210TRPBF Erbjudande
IRFH5210TRPBF Lägsta pris
IRFH5210TRPBF Sök
IRFH5210TRPBF Köp av
IRFH5210TRPBF Chip