IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
Artikelnummer
IRFH6200TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (5x6)
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10890pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26199 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFH6200TRPBF
IRFH6200TRPBF Elektroniska komponenter
IRFH6200TRPBF Försäljning
IRFH6200TRPBF Leverantör
IRFH6200TRPBF Distributör
IRFH6200TRPBF Datatabell
IRFH6200TRPBF Foton
IRFH6200TRPBF Pris
IRFH6200TRPBF Erbjudande
IRFH6200TRPBF Lägsta pris
IRFH6200TRPBF Sök
IRFH6200TRPBF Köp av
IRFH6200TRPBF Chip