IRFHM830TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Artikelnummer
IRFHM830TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-VQFN Exposed Pad
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2155pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48550 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM830TRPBF
IRFHM830TRPBF Elektroniska komponenter
IRFHM830TRPBF Försäljning
IRFHM830TRPBF Leverantör
IRFHM830TRPBF Distributör
IRFHM830TRPBF Datatabell
IRFHM830TRPBF Foton
IRFHM830TRPBF Pris
IRFHM830TRPBF Erbjudande
IRFHM830TRPBF Lägsta pris
IRFHM830TRPBF Sök
IRFHM830TRPBF Köp av
IRFHM830TRPBF Chip