IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
Artikelnummer
IRFHM8329TRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PQFN (3x3)
Effektförlust (max)
2.6W (Ta), 33W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Ta), 57A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43475 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFHM8329TRPBF
IRFHM8329TRPBF Elektroniska komponenter
IRFHM8329TRPBF Försäljning
IRFHM8329TRPBF Leverantör
IRFHM8329TRPBF Distributör
IRFHM8329TRPBF Datatabell
IRFHM8329TRPBF Foton
IRFHM8329TRPBF Pris
IRFHM8329TRPBF Erbjudande
IRFHM8329TRPBF Lägsta pris
IRFHM8329TRPBF Sök
IRFHM8329TRPBF Köp av
IRFHM8329TRPBF Chip