IRFL1006TR
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
Artikelnummer
IRFL1006TR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52565 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFL1006TR
IRFL1006TR Elektroniska komponenter
IRFL1006TR Försäljning
IRFL1006TR Leverantör
IRFL1006TR Distributör
IRFL1006TR Datatabell
IRFL1006TR Foton
IRFL1006TR Pris
IRFL1006TR Erbjudande
IRFL1006TR Lägsta pris
IRFL1006TR Sök
IRFL1006TR Köp av
IRFL1006TR Chip