IRFL4105PBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Artikelnummer
IRFL4105PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38449 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFL4105PBF
IRFL4105PBF Elektroniska komponenter
IRFL4105PBF Försäljning
IRFL4105PBF Leverantör
IRFL4105PBF Distributör
IRFL4105PBF Datatabell
IRFL4105PBF Foton
IRFL4105PBF Pris
IRFL4105PBF Erbjudande
IRFL4105PBF Lägsta pris
IRFL4105PBF Sök
IRFL4105PBF Köp av
IRFL4105PBF Chip