IRFP4127PBF
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247AC
Artikelnummer
IRFP4127PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
341W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10036 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFP4127PBF
IRFP4127PBF Elektroniska komponenter
IRFP4127PBF Försäljning
IRFP4127PBF Leverantör
IRFP4127PBF Distributör
IRFP4127PBF Datatabell
IRFP4127PBF Foton
IRFP4127PBF Pris
IRFP4127PBF Erbjudande
IRFP4127PBF Lägsta pris
IRFP4127PBF Sök
IRFP4127PBF Köp av
IRFP4127PBF Chip