IRFR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
Artikelnummer
IRFR120NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12008 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR120NPBF
IRFR120NPBF Elektroniska komponenter
IRFR120NPBF Försäljning
IRFR120NPBF Leverantör
IRFR120NPBF Distributör
IRFR120NPBF Datatabell
IRFR120NPBF Foton
IRFR120NPBF Pris
IRFR120NPBF Erbjudande
IRFR120NPBF Lägsta pris
IRFR120NPBF Sök
IRFR120NPBF Köp av
IRFR120NPBF Chip