IRFR12N25DPBF
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
Artikelnummer
IRFR12N25DPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
144W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11795 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR12N25DPBF
IRFR12N25DPBF Elektroniska komponenter
IRFR12N25DPBF Försäljning
IRFR12N25DPBF Leverantör
IRFR12N25DPBF Distributör
IRFR12N25DPBF Datatabell
IRFR12N25DPBF Foton
IRFR12N25DPBF Pris
IRFR12N25DPBF Erbjudande
IRFR12N25DPBF Lägsta pris
IRFR12N25DPBF Sök
IRFR12N25DPBF Köp av
IRFR12N25DPBF Chip