IRFR13N20DTR
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
Artikelnummer
IRFR13N20DTR
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
110W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
235 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12997 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR13N20DTR
IRFR13N20DTR Elektroniska komponenter
IRFR13N20DTR Försäljning
IRFR13N20DTR Leverantör
IRFR13N20DTR Distributör
IRFR13N20DTR Datatabell
IRFR13N20DTR Foton
IRFR13N20DTR Pris
IRFR13N20DTR Erbjudande
IRFR13N20DTR Lägsta pris
IRFR13N20DTR Sök
IRFR13N20DTR Köp av
IRFR13N20DTR Chip