IRFR3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Artikelnummer
IRFR3910PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13355 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR3910PBF
IRFR3910PBF Elektroniska komponenter
IRFR3910PBF Försäljning
IRFR3910PBF Leverantör
IRFR3910PBF Distributör
IRFR3910PBF Datatabell
IRFR3910PBF Foton
IRFR3910PBF Pris
IRFR3910PBF Erbjudande
IRFR3910PBF Lägsta pris
IRFR3910PBF Sök
IRFR3910PBF Köp av
IRFR3910PBF Chip