IRFR9N20DTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Artikelnummer
IRFR9N20DTRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
86W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38782 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFR9N20DTRLPBF
IRFR9N20DTRLPBF Elektroniska komponenter
IRFR9N20DTRLPBF Försäljning
IRFR9N20DTRLPBF Leverantör
IRFR9N20DTRLPBF Distributör
IRFR9N20DTRLPBF Datatabell
IRFR9N20DTRLPBF Foton
IRFR9N20DTRLPBF Pris
IRFR9N20DTRLPBF Erbjudande
IRFR9N20DTRLPBF Lägsta pris
IRFR9N20DTRLPBF Sök
IRFR9N20DTRLPBF Köp av
IRFR9N20DTRLPBF Chip