IRFS4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Artikelnummer
IRFS4229PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
330W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50827 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS4229PBF
IRFS4229PBF Elektroniska komponenter
IRFS4229PBF Försäljning
IRFS4229PBF Leverantör
IRFS4229PBF Distributör
IRFS4229PBF Datatabell
IRFS4229PBF Foton
IRFS4229PBF Pris
IRFS4229PBF Erbjudande
IRFS4229PBF Lägsta pris
IRFS4229PBF Sök
IRFS4229PBF Köp av
IRFS4229PBF Chip