IRFS4310TRRPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Artikelnummer
IRFS4310TRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7670pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24024 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFS4310TRRPBF
IRFS4310TRRPBF Elektroniska komponenter
IRFS4310TRRPBF Försäljning
IRFS4310TRRPBF Leverantör
IRFS4310TRRPBF Distributör
IRFS4310TRRPBF Datatabell
IRFS4310TRRPBF Foton
IRFS4310TRRPBF Pris
IRFS4310TRRPBF Erbjudande
IRFS4310TRRPBF Lägsta pris
IRFS4310TRRPBF Sök
IRFS4310TRRPBF Köp av
IRFS4310TRRPBF Chip