IRFSL17N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
Artikelnummer
IRFSL17N20DPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42326 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFSL17N20DPBF
IRFSL17N20DPBF Elektroniska komponenter
IRFSL17N20DPBF Försäljning
IRFSL17N20DPBF Leverantör
IRFSL17N20DPBF Distributör
IRFSL17N20DPBF Datatabell
IRFSL17N20DPBF Foton
IRFSL17N20DPBF Pris
IRFSL17N20DPBF Erbjudande
IRFSL17N20DPBF Lägsta pris
IRFSL17N20DPBF Sök
IRFSL17N20DPBF Köp av
IRFSL17N20DPBF Chip