IRFU1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Artikelnummer
IRFU1010ZPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31893 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU1010ZPBF
IRFU1010ZPBF Elektroniska komponenter
IRFU1010ZPBF Försäljning
IRFU1010ZPBF Leverantör
IRFU1010ZPBF Distributör
IRFU1010ZPBF Datatabell
IRFU1010ZPBF Foton
IRFU1010ZPBF Pris
IRFU1010ZPBF Erbjudande
IRFU1010ZPBF Lägsta pris
IRFU1010ZPBF Sök
IRFU1010ZPBF Köp av
IRFU1010ZPBF Chip