IRFU120NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
Artikelnummer
IRFU120NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40463 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU120NPBF
IRFU120NPBF Elektroniska komponenter
IRFU120NPBF Försäljning
IRFU120NPBF Leverantör
IRFU120NPBF Distributör
IRFU120NPBF Datatabell
IRFU120NPBF Foton
IRFU120NPBF Pris
IRFU120NPBF Erbjudande
IRFU120NPBF Lägsta pris
IRFU120NPBF Sök
IRFU120NPBF Köp av
IRFU120NPBF Chip