IRFU120ZPBF
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Artikelnummer
IRFU120ZPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32688 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU120ZPBF
IRFU120ZPBF Elektroniska komponenter
IRFU120ZPBF Försäljning
IRFU120ZPBF Leverantör
IRFU120ZPBF Distributör
IRFU120ZPBF Datatabell
IRFU120ZPBF Foton
IRFU120ZPBF Pris
IRFU120ZPBF Erbjudande
IRFU120ZPBF Lägsta pris
IRFU120ZPBF Sök
IRFU120ZPBF Köp av
IRFU120ZPBF Chip