IRFU12N25DPBF
MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
Artikelnummer
IRFU12N25DPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
144W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31504 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU12N25DPBF
IRFU12N25DPBF Elektroniska komponenter
IRFU12N25DPBF Försäljning
IRFU12N25DPBF Leverantör
IRFU12N25DPBF Distributör
IRFU12N25DPBF Datatabell
IRFU12N25DPBF Foton
IRFU12N25DPBF Pris
IRFU12N25DPBF Erbjudande
IRFU12N25DPBF Lägsta pris
IRFU12N25DPBF Sök
IRFU12N25DPBF Köp av
IRFU12N25DPBF Chip