IRFU3711PBF
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
Artikelnummer
IRFU3711PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 120W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49313 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU3711PBF
IRFU3711PBF Elektroniska komponenter
IRFU3711PBF Försäljning
IRFU3711PBF Leverantör
IRFU3711PBF Distributör
IRFU3711PBF Datatabell
IRFU3711PBF Foton
IRFU3711PBF Pris
IRFU3711PBF Erbjudande
IRFU3711PBF Lägsta pris
IRFU3711PBF Sök
IRFU3711PBF Köp av
IRFU3711PBF Chip