IRFU3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
Artikelnummer
IRFU3910PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
IPAK (TO-251)
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7015 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFU3910PBF
IRFU3910PBF Elektroniska komponenter
IRFU3910PBF Försäljning
IRFU3910PBF Leverantör
IRFU3910PBF Distributör
IRFU3910PBF Datatabell
IRFU3910PBF Foton
IRFU3910PBF Pris
IRFU3910PBF Erbjudande
IRFU3910PBF Lägsta pris
IRFU3910PBF Sök
IRFU3910PBF Köp av
IRFU3910PBF Chip