IRL2910STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Artikelnummer
IRL2910STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22837 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL2910STRRPBF
IRL2910STRRPBF Elektroniska komponenter
IRL2910STRRPBF Försäljning
IRL2910STRRPBF Leverantör
IRL2910STRRPBF Distributör
IRL2910STRRPBF Datatabell
IRL2910STRRPBF Foton
IRL2910STRRPBF Pris
IRL2910STRRPBF Erbjudande
IRL2910STRRPBF Lägsta pris
IRL2910STRRPBF Sök
IRL2910STRRPBF Köp av
IRL2910STRRPBF Chip