IRL3716PBF
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
Artikelnummer
IRL3716PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
210W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
79nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5090pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16688 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL3716PBF
IRL3716PBF Elektroniska komponenter
IRL3716PBF Försäljning
IRL3716PBF Leverantör
IRL3716PBF Distributör
IRL3716PBF Datatabell
IRL3716PBF Foton
IRL3716PBF Pris
IRL3716PBF Erbjudande
IRL3716PBF Lägsta pris
IRL3716PBF Sök
IRL3716PBF Köp av
IRL3716PBF Chip