IRL7833PBF
MOSFET N-CH 30V 150A TO-220AB
Artikelnummer
IRL7833PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4170pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33378 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL7833PBF
IRL7833PBF Elektroniska komponenter
IRL7833PBF Försäljning
IRL7833PBF Leverantör
IRL7833PBF Distributör
IRL7833PBF Datatabell
IRL7833PBF Foton
IRL7833PBF Pris
IRL7833PBF Erbjudande
IRL7833PBF Lägsta pris
IRL7833PBF Sök
IRL7833PBF Köp av
IRL7833PBF Chip