IRLL3303PBF
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Artikelnummer
IRLL3303PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-261-4, TO-261AA
Leverantörsenhetspaket
SOT-223
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19239 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLL3303PBF
IRLL3303PBF Elektroniska komponenter
IRLL3303PBF Försäljning
IRLL3303PBF Leverantör
IRLL3303PBF Distributör
IRLL3303PBF Datatabell
IRLL3303PBF Foton
IRLL3303PBF Pris
IRLL3303PBF Erbjudande
IRLL3303PBF Lägsta pris
IRLL3303PBF Sök
IRLL3303PBF Köp av
IRLL3303PBF Chip