IRLR3110ZTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Artikelnummer
IRLR3110ZTRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32311 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3110ZTRRPBF Elektroniska komponenter
IRLR3110ZTRRPBF Försäljning
IRLR3110ZTRRPBF Leverantör
IRLR3110ZTRRPBF Distributör
IRLR3110ZTRRPBF Datatabell
IRLR3110ZTRRPBF Foton
IRLR3110ZTRRPBF Pris
IRLR3110ZTRRPBF Erbjudande
IRLR3110ZTRRPBF Lägsta pris
IRLR3110ZTRRPBF Sök
IRLR3110ZTRRPBF Köp av
IRLR3110ZTRRPBF Chip