IRLR4343TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Artikelnummer
IRLR4343TRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21883 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR4343TRRPBF
IRLR4343TRRPBF Elektroniska komponenter
IRLR4343TRRPBF Försäljning
IRLR4343TRRPBF Leverantör
IRLR4343TRRPBF Distributör
IRLR4343TRRPBF Datatabell
IRLR4343TRRPBF Foton
IRLR4343TRRPBF Pris
IRLR4343TRRPBF Erbjudande
IRLR4343TRRPBF Lägsta pris
IRLR4343TRRPBF Sök
IRLR4343TRRPBF Köp av
IRLR4343TRRPBF Chip