IRLS4030-7PPBF
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Artikelnummer
IRLS4030-7PPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK (7-Lead)
Effektförlust (max)
370W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11490pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42716 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLS4030-7PPBF
IRLS4030-7PPBF Elektroniska komponenter
IRLS4030-7PPBF Försäljning
IRLS4030-7PPBF Leverantör
IRLS4030-7PPBF Distributör
IRLS4030-7PPBF Datatabell
IRLS4030-7PPBF Foton
IRLS4030-7PPBF Pris
IRLS4030-7PPBF Erbjudande
IRLS4030-7PPBF Lägsta pris
IRLS4030-7PPBF Sök
IRLS4030-7PPBF Köp av
IRLS4030-7PPBF Chip