IRLU3714PBF
MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK
Artikelnummer
IRLU3714PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
47W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47519 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLU3714PBF
IRLU3714PBF Elektroniska komponenter
IRLU3714PBF Försäljning
IRLU3714PBF Leverantör
IRLU3714PBF Distributör
IRLU3714PBF Datatabell
IRLU3714PBF Foton
IRLU3714PBF Pris
IRLU3714PBF Erbjudande
IRLU3714PBF Lägsta pris
IRLU3714PBF Sök
IRLU3714PBF Köp av
IRLU3714PBF Chip