IRLU7833PBF
MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK
Artikelnummer
IRLU7833PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4010pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22122 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLU7833PBF
IRLU7833PBF Elektroniska komponenter
IRLU7833PBF Försäljning
IRLU7833PBF Leverantör
IRLU7833PBF Distributör
IRLU7833PBF Datatabell
IRLU7833PBF Foton
IRLU7833PBF Pris
IRLU7833PBF Erbjudande
IRLU7833PBF Lägsta pris
IRLU7833PBF Sök
IRLU7833PBF Köp av
IRLU7833PBF Chip