SI4410DYTRPBF
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4410DYTRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31599 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4410DYTRPBF
SI4410DYTRPBF Elektroniska komponenter
SI4410DYTRPBF Försäljning
SI4410DYTRPBF Leverantör
SI4410DYTRPBF Distributör
SI4410DYTRPBF Datatabell
SI4410DYTRPBF Foton
SI4410DYTRPBF Pris
SI4410DYTRPBF Erbjudande
SI4410DYTRPBF Lägsta pris
SI4410DYTRPBF Sök
SI4410DYTRPBF Köp av
SI4410DYTRPBF Chip