köpa Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1 MOSFET N-CH 560V 16A TO-263

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SPB16N50C3ATMA1

MOSFET N-CH 560V 16A TO-263

Artikelnummer

SPB16N50C3ATMA1

Tillverkare/varumärke

Infineon Technologies

Serier

CoolMOS™

Sektionsstatus

Last Time Buy

Förpackning

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Leverantörsenhetspaket

PG-TO263-3-2

Effektförlust (max)

160W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

560V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

280 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 675µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 10242 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter