SPD02N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252
Artikelnummer
SPD02N80C3ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.7 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19166 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1 Elektroniska komponenter
SPD02N80C3ATMA1 Försäljning
SPD02N80C3ATMA1 Leverantör
SPD02N80C3ATMA1 Distributör
SPD02N80C3ATMA1 Datatabell
SPD02N80C3ATMA1 Foton
SPD02N80C3ATMA1 Pris
SPD02N80C3ATMA1 Erbjudande
SPD02N80C3ATMA1 Lägsta pris
SPD02N80C3ATMA1 Sök
SPD02N80C3ATMA1 Köp av
SPD02N80C3ATMA1 Chip