SPD04N80C3ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252
Artikelnummer
SPD04N80C3ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46265 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPD04N80C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1 Elektroniska komponenter
SPD04N80C3ATMA1 Försäljning
SPD04N80C3ATMA1 Leverantör
SPD04N80C3ATMA1 Distributör
SPD04N80C3ATMA1 Datatabell
SPD04N80C3ATMA1 Foton
SPD04N80C3ATMA1 Pris
SPD04N80C3ATMA1 Erbjudande
SPD04N80C3ATMA1 Lägsta pris
SPD04N80C3ATMA1 Sök
SPD04N80C3ATMA1 Köp av
SPD04N80C3ATMA1 Chip