SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Artikelnummer
SPP06N60C3HKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO220-3-1
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 260µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49504 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP06N60C3HKSA1
SPP06N60C3HKSA1 Elektroniska komponenter
SPP06N60C3HKSA1 Försäljning
SPP06N60C3HKSA1 Leverantör
SPP06N60C3HKSA1 Distributör
SPP06N60C3HKSA1 Datatabell
SPP06N60C3HKSA1 Foton
SPP06N60C3HKSA1 Pris
SPP06N60C3HKSA1 Erbjudande
SPP06N60C3HKSA1 Lägsta pris
SPP06N60C3HKSA1 Sök
SPP06N60C3HKSA1 Köp av
SPP06N60C3HKSA1 Chip