SPP18P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Artikelnummer
SPP18P06PHXKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
PG-TO-220-3
Effektförlust (max)
81.1W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15757 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SPP18P06PHXKSA1
SPP18P06PHXKSA1 Elektroniska komponenter
SPP18P06PHXKSA1 Försäljning
SPP18P06PHXKSA1 Leverantör
SPP18P06PHXKSA1 Distributör
SPP18P06PHXKSA1 Datatabell
SPP18P06PHXKSA1 Foton
SPP18P06PHXKSA1 Pris
SPP18P06PHXKSA1 Erbjudande
SPP18P06PHXKSA1 Lägsta pris
SPP18P06PHXKSA1 Sök
SPP18P06PHXKSA1 Köp av
SPP18P06PHXKSA1 Chip