APT28M120B2
MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Artikelnummer
APT28M120B2
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
1135W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9670pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50830 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT28M120B2
APT28M120B2 Elektroniska komponenter
APT28M120B2 Försäljning
APT28M120B2 Leverantör
APT28M120B2 Distributör
APT28M120B2 Datatabell
APT28M120B2 Foton
APT28M120B2 Pris
APT28M120B2 Erbjudande
APT28M120B2 Lägsta pris
APT28M120B2 Sök
APT28M120B2 Köp av
APT28M120B2 Chip